7005L20FB备选型号: 7005S20G

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  • 描述:
  • 底架
  • 引脚数
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  • 工作电源电压
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  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 引脚数量
  • 电源
  • 温度等级
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 20ns 68-Pin FPAK
    表面贴装
    68
    RAM, SDR, SRAM
    2012
    活跃
    125°C
    -55°C
    5V
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    8kB
    2
    320mA
    20 ns
    26b
    64 kb
    Asynchronous
    8b
    24mm
    24mm
    2mm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 20ns 68-Pin CPGA
    通孔
    68
    RAM, SDR, SRAM
    2012
    活跃
    70°C
    0°C
    5V
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    8kB
    2
    290mA
    20 ns
    26b
    64 kb
    Asynchronous
    8b
    29.46mm
    29.46mm
    3.68mm
    符合RoHS标准
    含铅
    7 Weeks
    e0
    no
    1 (Unlimited)
    68
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE
    PERPENDICULAR
    PIN/PEG
    240
    1
    5V
    68
    5V
    COMMERCIAL
    8KX8
    3-STATE
    0.015A
    COMMON
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7005L20G 7005L20G Integrated Device Technology (IDT) 存储器 SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 20ns 68-Pin CPGA 对比