7005L20FB备选型号: 7005S20G
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- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 引脚数量
- 电源
- 温度等级
- 组织结构
- 输出特性
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 20ns 68-Pin FPAK表面贴装68RAM, SDR, SRAM2012活跃125°C-55°C5VParallel5.5V4.5V8kB2320mA20 ns26b64 kbAsynchronous8b24mm24mm2mm无符合RoHS标准含铅--------------------
- SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 20ns 68-Pin CPGA通孔68RAM, SDR, SRAM2012活跃70°C0°C5VParallel5.5V4.5V8kB2290mA20 ns26b64 kbAsynchronous8b29.46mm29.46mm3.68mm无符合RoHS标准含铅7 Weekse0no1 (Unlimited)68EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHOREPERPENDICULARPIN/PEG24015V685VCOMMERCIAL8KX83-STATE0.015ACOMMON
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 7005L20G | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 20ns 68-Pin CPGA | 对比 |



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