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首页 全部分类 7006L55GB vs 7006L55G

7006L55GB备选型号: 7006L55G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 访问时间
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 筛选水平
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • ECCN 代码
  • 电源电流
  • 同步/异步
  • 字长
  • Integrated Device Technology (IDT)
    7006L55GB
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 6Kx8, 128K, 5V DUAL- PORT RAM
    NO
    68
    RAM, SDR, SRAM
    Bulk
    2010
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    68
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    125°C
    -55°C
    INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
    PERPENDICULAR
    PIN/PEG
    240
    1
    5V
    68
    5V
    5V
    MILITARY
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    16kB
    2
    55 ns
    16KX8
    3-STATE
    28b
    128 kb
    0.004A
    MIL-PRF-38535
    COMMON
    2V
    29.46mm
    29.46mm
    3.68mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    7006L55G
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 6Kx8, 128K, 5V DUAL- PORT RAM
    -
    68
    RAM, SDR, SRAM
    Bulk
    2008
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    68
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    70°C
    0°C
    INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
    PERPENDICULAR
    PIN/PEG
    240
    1
    5V
    68
    5V
    5V
    COMMERCIAL
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    16kB
    2
    55 ns
    16KX8
    3-STATE
    28b
    128 kb
    0.0015A
    -
    COMMON
    2V
    29.46mm
    29.46mm
    3.68mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    7 Weeks
    通孔
    EAR99
    210mA
    Asynchronous
    8b
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7006S55GB 7006S55GB Integrated Device Technology (IDT) 存储器 SRAM 6Kx8, 128K, 5V DUAL- PORT RAM 对比