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首页 全部分类 7007L35G vs 7007S25G

7007L35G备选型号: 7007S25G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Integrated Device Technology (IDT)
    7007L35G
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 5V 256K-Bit 32K x 8 35ns 68-Pin PGA
    7 Weeks
    通孔
    68
    RAM, SDR, SRAM
    2010
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    68
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    70°C
    0°C
    INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
    PERPENDICULAR
    PIN/PEG
    240
    1
    5V
    68
    5V
    5V
    COMMERCIAL
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    32kB
    2
    255mA
    35 ns
    3-STATE
    30b
    256 kb
    0.006A
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    29.46mm
    29.46mm
    3.68mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
  • Integrated Device Technology (IDT)
    7007S25G
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 5V 256K-Bit 32K x 8 25ns 68-Pin PGA
    7 Weeks
    通孔
    68
    RAM, SDR, SRAM
    2008
    -
    -
    活跃
    -
    -
    -
    -
    70°C
    0°C
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5V
    -
    -
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    32kB
    2
    305mA
    25 ns
    -
    30b
    256 kb
    -
    -
    Asynchronous
    8b
    29.46mm
    29.46mm
    3.68mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
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7007L25G 7007L25G Integrated Device Technology (IDT) 存储器 SRAM Chip Async Dual 5V 256K-Bit 32K x 8 25ns 68-Pin PGA 对比