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70T651S10DR备选型号: 70V659S12DRGI
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- 最高工作温度
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- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 温度等级
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- 端口的数量
- 电源电流
- 访问时间
- 输出特性
- 地址总线宽度
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- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 待机电压-最小值
SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 208-Pin PQFP7 Weeks表面贴装PQFP208RAM, SDR, SRAMBulk2009e0no活跃3 (168 Hours)208Tin/Lead (Sn/Pb)70°C0°CQUAD鸥翼22512.5V0.5mm202082.5VCOMMERCIALParallel2.6V2.4V1.1MB2405mA10 ns3-STATE18b9 Mb0.01ACOMMONAsynchronous36b28mm4.1mm28mm3.5mm无符合RoHS标准含铅-
SRAM Chip Async Dual 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 12ns 208-Pin PQFP7 Weeks表面贴装PQFP208RAM, SDR, SRAM-2009e3yes活跃3 (168 Hours)208Matte Tin (Sn) - annealed85°C-40°CQUAD鸥翼26013.3V0.5mm302083.3VINDUSTRIALParallel3.45V2.4V512kB2515mA12 ns3-STATE34b4.5 Mb0.015ACOMMONAsynchronous36b28mm4.1mm28mm3.5mm无符合RoHS标准无铅3.15V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 70T3589S133DRI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PQFP | SRAM Chip Sync Dual 2.5V 2.25M-Bit 64K x 36 15ns/4.2ns 208-Pin PQFP | 对比 |
 | 70V657S10DRG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PQFP | SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 10ns 208-Pin PQFP Tray | 对比 |
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