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首页 全部分类 70T659S10BCI vs 70T659S12BCI

70T659S10BCI备选型号: 70T659S12BCI

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Integrated Device Technology (IDT)
    70T659S10BCI
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 2.5V 4.5M-Bit 128K x 36 10ns 256-Pin CABGA
    7 Weeks
    表面贴装
    256
    RAM, SRAM
    2009
    e0
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    256
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    85°C
    -40°C
    BOTTOM
    BALL
    225
    1
    2.5V
    1mm
    20
    256
    2.5V
    INDUSTRIAL
    Parallel
    2.6V
    2.4V
    2
    445mA
    10 ns
    3-STATE
    34b
    4.5 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    36b
    17mm
    1.5mm
    17mm
    1.4mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
  • Integrated Device Technology (IDT)
    70T659S12BCI
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 2.5V 4.5M-Bit 128K x 36 12ns 256-Pin CABGA
    7 Weeks
    表面贴装
    256
    RAM, SRAM
    2009
    e0
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    256
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    85°C
    -40°C
    BOTTOM
    BALL
    225
    1
    2.5V
    1mm
    20
    256
    2.5V
    INDUSTRIAL
    Parallel
    2.6V
    2.4V
    2
    395mA
    12 ns
    3-STATE
    34b
    4.5 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    36b
    17mm
    1.5mm
    17mm
    1.4mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
  • 添加型号
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