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首页 全部分类 70V631S10BC vs 70V659S10BCG

70V631S10BC备选型号: 70V659S10BCG

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 最大电源电流
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 包装
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电源电流-最大值
  • Integrated Device Technology (IDT)
    70V631S10BC
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 256Kx18 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM
    7 Weeks
    表面贴装
    256
    RAM, SDR, SRAM
    2009
    e0
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    256
    Tin/Lead (Sn63Pb37)
    70°C
    0°C
    BOTTOM
    BALL
    225
    1
    3.3V
    1mm
    256
    3.3V
    COMMERCIAL
    Parallel
    3.45V
    3.15V
    512kB
    2
    500mA
    500mA
    10 ns
    3-STATE
    36b
    4.5 Mb
    0.015A
    COMMON
    Asynchronous
    18b
    17mm
    1.7mm
    17mm
    1.4mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    70V659S10BCG
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 10ns 256-Pin CABGA Tube
    7 Weeks
    -
    256
    RAM, SDR, SRAM
    2009
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    256
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    70°C
    0°C
    BOTTOM
    BALL
    260
    1
    3.3V
    1mm
    256
    3.3V
    COMMERCIAL
    Parallel
    3.45V
    3.15V
    512kB
    2
    -
    -
    10 ns
    3-STATE
    34b
    4.5 Mb
    0.015A
    COMMON
    -
    -
    17mm
    1.5mm
    17mm
    1.4mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    YES
    Bulk
    30
    0.5mA
  • 添加型号
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