7134LA25PDGI备选型号: 7130LA55PDGI

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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
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  • 引脚数量
  • 电源
  • 温度等级
  • 界面
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  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流-最大值
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  • 组织结构
  • 输出特性
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  • 记忆密度
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  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 工作电源电压
  • 电源电流
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 座位高度(最大)
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip
    7 Weeks
    PDIP
    NO
    48
    RAM, SDR, SRAM
    Bulk
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    48
    EAR99
    哑光锡
    85°C
    -40°C
    8542.32.00.41
    DUAL
    THROUGH-HOLE
    260
    1
    5V
    2.54mm
    48
    5V
    INDUSTRIAL
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    4kB
    2
    0.26mA
    25 ns
    4KX8
    3-STATE
    0.004A
    32768 bit
    COMMON
    2V
    61.7mm
    15.24mm
    3.8mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 8K(1KX8)CMOS DUAL PT RAM
    7 Weeks
    PDIP
    -
    48
    RAM, SDR, SRAM
    Bulk
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    48
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    85°C
    -40°C
    -
    DUAL
    -
    260
    1
    5V
    -
    48
    5V
    INDUSTRIAL
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    1kB
    2
    -
    55 ns
    1KX8
    3-STATE
    0.004A
    -
    COMMON
    2V
    61.7mm
    15.24mm
    3.8mm
    符合RoHS标准
    无铅
    通孔
    5V
    140mA
    20b
    8 kb
    Asynchronous
    8b
    5.08mm
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