7134LA25PDGI备选型号: 7130LA55PDGI
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- 包装
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- JESD-609代码
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
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- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
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- 引脚数量
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- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
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- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流-最大值
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- 组织结构
- 输出特性
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 工作电源电压
- 电源电流
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 座位高度(最大)
- SRAM Chip7 WeeksPDIPNO48RAM, SDR, SRAMBulk2013e3yes活跃1 (Unlimited)48EAR99哑光锡85°C-40°C8542.32.00.41DUALTHROUGH-HOLE26015V2.54mm485VINDUSTRIALParallel5.5V4.5V4kB20.26mA25 ns4KX83-STATE0.004A32768 bitCOMMON2V61.7mm15.24mm3.8mm无符合RoHS标准无铅--------
- SRAM 8K(1KX8)CMOS DUAL PT RAM7 WeeksPDIP-48RAM, SDR, SRAMBulk2013e3yes活跃1 (Unlimited)48EAR99Matte Tin (Sn) - annealed85°C-40°C-DUAL-26015V-485VINDUSTRIALParallel5.5V4.5V1kB2-55 ns1KX83-STATE0.004A-COMMON2V61.7mm15.24mm3.8mm无符合RoHS标准无铅通孔5V140mA20b8 kbAsynchronous8b5.08mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 7132LA35PDG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PDIP | SRAM 16K(2KX8) CMOS DUAL PT RAM | 对比 |
![]() | 7134LA20PDG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | PDIP | SRAM Chip Async Dual 5V 32K-Bit 4K x 8 20ns 48-Pin PDIP Tube | 对比 |






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