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首页 全部分类 7134SA45CB vs 7134LA35CB

7134SA45CB备选型号: 7134LA35CB

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 筛选水平
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 待机电压-最小值
  • Integrated Device Technology (IDT)
    7134SA45CB
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 5V 32K-Bit 4K x 8 45ns 48-Pin SBCDIP Tube
    通孔
    DIP
    48
    RAM, SRAM
    Bulk
    2005
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    48
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    125°C
    -55°C
    AUTOMATIC POWER-DOWN
    DUAL
    240
    1
    5V
    48
    5V
    5V
    MILITARY
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    2
    280mA
    45 ns
    4KX8
    3-STATE
    24b
    32 kb
    0.03A
    38535Q/M;38534H;883B
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    61.72mm
    15.24mm
    3.3mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    7134LA35CB
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Dual 5V 32K-Bit 4K x 8 35ns 48-Pin SBCDIP Tube
    通孔
    DIP
    48
    RAM, SRAM
    Bulk
    2013
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    48
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    125°C
    -55°C
    AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
    DUAL
    240
    1
    5V
    48
    5V
    5V
    MILITARY
    Parallel
    5.5V
    4.5V
    2
    250mA
    35 ns
    4KX8
    3-STATE
    24b
    32 kb
    0.004A
    38535Q/M;38534H;883B
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    61.72mm
    15.24mm
    3.3mm
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    10 Weeks
    2V
  • 添加型号
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7134SA35CB 7134SA35CB Integrated Device Technology (IDT) 存储器 DIP SRAM Chip Async Dual 5V 32K-Bit 4K x 8 35ns 48-Pin SBCDIP Tube 对比