71T75902S75PFGI备选型号: CY7C1373D-100AXC
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 端子表面处理
- 最高工作温度
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- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 频率
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 访问时间
- 地址总线宽度
- 密度
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- 字长
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 操作温度
- 系列
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 座位高度(最大)
- 2.5V 1M x 18 ZBT Synchronous 2.5V I/O Flow-through SRAM8 Weeks表面贴装TQFP100100MHzBulk2005e3yes活跃3 (168 Hours)100Matte Tin (Sn) - annealed85°C-40°CQUAD鸥翼26012.5V0.65mm100MHz1002.5VINDUSTRIALParallel2.625V2.375V2.3MB1295mA7.5 ns20b18 MbSynchronous18b20mm14mm1.4mm无符合RoHS标准无铅-------------------
- SRAM 18Mb 100Mhz 1M x 18 Flow-Thru SRAM-表面贴装100-LQFP100VolatileTray2004e3yesObsolete3 (168 Hours)100Matte Tin (Sn)--QUAD-26013.3V0.65mm-1003.3V----18Mb 1M x 182175mA8.5ns20b18 MbSynchronous18b---无ROHS3 Compliant无铅表面贴装0°C~70°C TANoBL™FLOW-THROUGH ARCHITECTURE3.135V~3.6V20CY7C13733.6V3.135V100MHzSRAMParallel1MX183-STATE180.07ACOMMON3.14V1.6mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61NVF51236-6.5TQL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | SRAM 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync SRAM 2.5v | 对比 | |
| IS61VF51236A-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP | 对比 | |
| IS61VF51236A-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP | 对比 |



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