71V016SA10BFGI备选型号: IS61WV6416DBLL-10BLI

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 操作温度
  • 包装
  • 电压 - 供电
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 电源电流
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • 待机电压-最小值
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 3V 64K X 16 SRAM
    12 Weeks
    表面贴装
    48
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    2007
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    85°C
    -40°C
    BOTTOM
    BALL
    260
    1
    3.3V
    0.75mm
    30
    48
    3.3V
    INDUSTRIAL
    Parallel
    3.6V
    3.15V
    128kB
    1
    10 ns
    3-STATE
    16b
    1 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    7mm
    7mm
    1.4mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin Mini-FBGA
    8 Weeks
    -
    48
    Volatile
    -
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    -
    -
    -
    BOTTOM
    -
    -
    1
    3V
    0.75mm
    -
    48
    -
    -
    -
    -
    -
    1Mb 64K x 16
    1
    -
    3-STATE
    16b
    1 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    8mm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2.4V~3.6V
    不合格
    3.6V
    2.5/3.3V
    2.4V
    55mA
    SRAM
    Parallel
    16
    10ns
    0.000055A
    2V
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