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71V321L25PFGI8备选型号: 71V321L35PFGI
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 温度等级
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- 访问时间
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- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
SRAM Chip Async Dual 3.3V 16K-Bit 2K x 8 25ns 64-Pin TQFP T/R7 Weeks表面贴装TQFP64RAM, SDR, SRAM2009e3yes活跃3 (168 Hours)64EAR99Matte Tin (Sn) - annealed85°C-40°CQUAD鸥翼26013.3V0.8mm30643.3VINDUSTRIALParallel3.6V3V2kB2130mA25 ns3-STATE22b16 kb0.004ACOMMONAsynchronous8b2V14mm1.6mm14mm1.4mm无符合RoHS标准无铅-
SRAM Chip Async Dual 3.3V 16K-Bit 2K x 8 35ns 64-Pin TQFP Tray7 Weeks-TQFP64RAM, SDR, SRAM2009e3yes活跃3 (168 Hours)64EAR99Matte Tin (Sn) - annealed85°C-40°CQUAD鸥翼26013.3V-30643.3VINDUSTRIALParallel3.6V3V2kB2-35 ns-22b16 kb-----14mm-14mm1.4mm无符合RoHS标准无铅YES- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71321LA25PFGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TQFP | SRAM Chip Async Dual 5V 16K-Bit 2K x 8 25ns 64-Pin TQFP | 对比 |
 | 71V321L35PFGI8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TQFP | SRAM Chip Async Dual 3.3V 16K-Bit 2K x 8 35ns 64-Pin TQFP T/R | 对比 |
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