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首页 全部分类 71V3579S75PFGI vs IS61LF25618A-7.5TQLI

71V3579S75PFGI备选型号: IS61LF25618A-7.5TQLI

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流-最大值
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 表面安装
  • 操作温度
  • 包装
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 电源电流
  • 时钟频率
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 内存宽度
  • 待机电压-最小值
  • 座位高度(最大)
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71V3579S75PFGI
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 256K x 18 7.5ns 100-Pin TQFP Tube/Tray
    12 Weeks
    表面贴装
    TQFP
    100
    117MHz
    2009
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    100
    Matte Tin (Sn) - annealed
    85°C
    -40°C
    QUAD
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    0.635mm
    117MHz
    30
    100
    3.3V
    INDUSTRIAL
    Parallel
    3.465V
    3.135V
    512kB
    1
    0.255mA
    7.5 ns
    3-STATE
    18b
    4.5 Mb
    0.03A
    COMMON
    Synchronous
    18b
    20mm
    14mm
    1.4mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61LF25618A-7.5TQLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
    12 Weeks
    -
    100-LQFP
    100
    Volatile
    -
    e3
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    100
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    QUAD
    -
    260
    1
    3.3V
    0.65mm
    -
    40
    100
    3.3V
    -
    -
    -
    -
    4.5Mb 256K x 18
    2
    -
    7.5ns
    3-STATE
    18b
    4 Mb
    0.035A
    COMMON
    Synchronous
    18b
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    YES
    -40°C~85°C TA
    Tray
    FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
    3.135V~3.6V
    3.465V
    3.135V
    160mA
    117MHz
    SRAM
    Parallel
    18
    3.14V
    1.6mm
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