71V67703S85BGG备选型号: CY7C1361C-100BGC

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 温度等级
  • 界面
  • 端口的数量
  • 访问时间
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 电压 - 供电 (最大值)
  • 电压 - 供电 (最小值)
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 操作温度
  • 包装
  • ECCN 代码
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 内存大小
  • 时钟频率
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 内存宽度
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 8.5ns 119-Pin BGA
    7 Weeks
    表面贴装
    BGA
    119
    RAM, SRAM
    190mA
    2009
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    119
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    70°C
    0°C
    FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
    3.3V
    BOTTOM
    BALL
    260
    1
    87MHz
    30
    COMMERCIAL
    Parallel
    1
    8.5 ns
    256KX36
    3-STATE
    18b
    9 Mb
    0.05A
    COMMON
    Synchronous
    36b
    3.465V
    3.135V
    14mm
    2.36mm
    22mm
    2.15mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
    -
    表面贴装
    119-BGA
    119
    Volatile
    180mA
    2003
    e0
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    119
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    -
    FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
    3.3V
    BOTTOM
    -
    220
    1
    -
    -
    -
    -
    4
    8.5ns
    256KX36
    3-STATE
    18b
    9 Mb
    -
    COMMON
    Synchronous
    36b
    3.6V
    3.135V
    22mm
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    -
    表面贴装
    0°C~70°C TA
    Tray
    3A991.B.2.A
    1.27mm
    CY7C1361
    9Mb 256K x 36
    100MHz
    SRAM
    Parallel
    36
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71V65703S85BG 71V65703S85BG Integrated Device Technology (IDT) 存储器 BGA SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-Bit 256K x 36 8.5ns 119-Pin BGA 对比