ADP195ACBZ-R7备选型号: ZXMS6001N3TA
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- 包装
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- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
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- 峰值回流焊温度(摄氏度)
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- 特征
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- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
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- 操作模式
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- 箱体转运
- 晶体管应用
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- IC HIGH-SIDE LOAD SWITCH 4WLSCPPRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)8 Weeks表面贴装表面贴装4-UFBGA, WLCSP4-40°C~125°C TJTape & Reel (TR)e1no活跃1 (Unlimited)4EAR99100mOhmTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)360μW不需要BOTTOMBALL26011.8V0.5mm40ADP19541P-Channel1.1A3.6V3.6VOn/Off5μA200mA高边360μWNon-Inverting通用型1.1V3.6V3.6V1:11.1V~3.6V1反向电流50m Ω曳光率控制370μm1.07mm990μm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅-----------------
- MOSFET N-CH PROTECTED 60V SOT223-17 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3no活跃1 (Unlimited)4EAR99675mOhmMatte Tin (Sn)1.5W不需要DUAL鸥翼260---40ZXMS600141N-Channel1.1A-6VOn/Off--低侧1.5WNon-Inverting通用型---1:160V Max-Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage520m Ω自动重启1.65mm6.7mm3.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SILICON1INTELLIFET®20081.5W增强型MOSFET1.1ASOURCESWITCHING27ns60V26 ns1.1A1V550 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR520mOhm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MIC94072YMT-TR | Microchip Technology | PMIC - 配电开关,负载驱动器 | 4-UFDFN Exposed Pad, 4-TMLF® | IC POWER SWITCH 4-TMLF | 对比 |
![]() | MIC94092YMT-TR | Microchip Technology | PMIC - 配电开关,负载驱动器 | 4-UDFN Exposed Pad, 4-TMLF® | IC LOAD SW HGH SIDE 1.2A 4-TMLF | 对比 |
![]() | TPS22907YZTR | Texas Instruments | PMIC - 配电开关,负载驱动器 | 4-UFBGA, DSBGA | IC LOAD SWITCH USMALL 4DSBGA | 对比 |







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