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首页 全部分类 ADP198ACBZ-R7 vs ZXMS6001N3TA

ADP198ACBZ-R7备选型号: ZXMS6001N3TA

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  • 输出类型
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  • 工作电源电流
  • 输出配置
  • 输出电流
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 开关类型
  • 最小输入电压
  • 最大输入电压
  • 额定输入电压
  • 比率-输入：输出
  • 电压-负荷
  • 驱动程序位数
  • 故障保护
  • Rds On(Typ)
  • 特征
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 额定功率
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电压
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • Analog Devices Inc.
    ADP198ACBZ-R7
    Analog Devices Inc.
    ANALOG DEVICES - ADP198ACBZ-R7 - Interruttore Carico Potenza, Blocco Corrente Inversa, Lato Alto, Attivo Alto, 1 Uscita, 6,5V, 1A
    PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, WLCSP
    4
    68.407399mg
    -40°C~125°C TJ
    Cut Tape (CT)
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    50mOhm
    BOTTOM
    BALL
    1
    2.8V
    0.5mm
    ADP198
    4
    1
    P-Channel
    1A
    6.5V
    2.8V
    On/Off
    1.1μA
    高边
    1A
    不需要
    Non-Inverting
    450 μs
    通用型
    1.65V
    6.5V
    6.5V
    1:1
    1.65V~6.5V
    1
    反向电流
    40m Ω
    曳光率控制
    370μm
    990μm
    1.065mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMS6001N3TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH PROTECTED 60V SOT223
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    -
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    675mOhm
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    ZXMS6001
    4
    1
    N-Channel
    1.1A
    -
    -
    On/Off
    -
    低侧
    1.1A
    不需要
    Non-Inverting
    -
    通用型
    -
    -
    -
    1:1
    60V Max
    -
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    520m Ω
    自动重启
    1.65mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    1
    INTELLIFET®
    2008
    e3
    Matte Tin (Sn)
    1.5W
    1.5W
    260
    40
    6V
    增强型MOSFET
    1.5W
    SOURCE
    SWITCHING
    27ns
    60V
    26 ns
    1.1A
    1V
    550 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    520mOhm
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