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首页 全部分类 AFE1256GBTD vs ADS8325IBDGKT

AFE1256GBTD备选型号: ADS8325IBDGKT

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  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 功率耗散
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  • 电源类型
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  • 数据接口
  • 采样率
  • 电压 - 供电，模拟
  • 电压 - 供电，数字
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  • 采样和保持/跟踪和保持
  • 转换率
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  • 信噪比(SNR)
  • 最大电源电压（DC）
  • 微分非线性
  • 最小电源电压(DC)
  • 无杂散动态范围（SFDR）
  • 高度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    AFE1256GBTD
    Texas Instruments
    IC AFE 256 CHAN 16BIT DIE
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    12 Weeks
    Gold
    Die
    YES
    0
    Tray
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    533
    85°C
    0°C
    UPPER
    无铅
    1
    AFE1256
    R-XUUC-N533
    OTHER
    256
    SPI
    模拟电路
    16
    2 B
    742mW
    22mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    ADS8325IBDGKT
    Texas Instruments
    IC ADC MICRPWR SMPL 16BIT 8VSSOP
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    Gold
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    YES
    8
    Cut Tape (CT)
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    1
    ADS8325
    -
    -
    1
    SPI, Serial
    -
    16
    2 B
    2.25mW
    3mm
    3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    -40°C~85°C
    microPOWER™
    e4
    SMD/SMT
    EAR99
    7.5mW
    260
    5V
    0.65mm
    8
    5V
    Unipolar
    S/H-ADC
    5.5V
    2.7V
    900μA
    4.5mW
    Pseudo-Differential, Single Ended
    SAR
    ADC, SUCCESSIVE APPROXIMATION
    Single
    External
    SPI
    100 ksps
    2.7V~3.6V 5V
    2.7V~3.6V 5V
    1
    100k
    BINARY
    4 LSB
    SAMPLE
    100 ksps
    1:1
    5V
    91 dB
    5.5V
    2 LSB
    2.7V
    108 dB
    1.07mm
    970μm
    无SVHC
    无
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