AO4611备选型号: STS7NF60L
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)82-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010活跃1 (Unlimited)2W2WN and P-Channel25m Ω @ 6.3A, 10V3V @ 250μA2300pF @ 30V58nC @ 10V60V20V逻辑电平门无ROHS3 Compliant----------------------------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)81150°C TJTape & Reel (TR)-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)-2.5WN-Channel19.5m Ω @ 3.5A, 10V-1700pF @ 25V34nC @ 4.5V-16V-无ROHS3 CompliantSILICON1V @ 250μASTripFET™ IIe38EAR9919.5mOhmMatte Tin (Sn)低阈值60VDUAL鸥翼2607.5A30STS7NSINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET15 nsSWITCHING27ns±16V20 ns7.5A1V60V30A350 mJ150°C1 V1.75mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS5680 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 60V 8A 8-SO | 对比 | |
![]() | DMT6016LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC | 对比 |
![]() | DMT6017LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8 | 对比 |




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