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AOD4126备选型号: IRFR540ZPBF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 终端
- ECCN 代码
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2 Tab) DPAK18 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装37.5A Ta 43A Tc2011SDMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)Single增强型MOSFET3WN-Channel24m Ω @ 20A, 10V4V @ 250μA2200pF @ 50V34nC @ 10V100V±25V43A25VROHS3 Compliant-----------------
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK19 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装335A Tc2005HEXFET®Tube-55°C~175°C TJDiscontinued1 (Unlimited)--91WN-Channel28.5m Ω @ 21A, 10V4V @ 50μA1690pF @ 25V59nC @ 10V-±20V35A20VROHS3 CompliantSMD/SMTEAR99Single14 ns42ns34 ns4V100V100V48 ns4 V2.2606mm6.7056mm6.22mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD47N10F7AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 45A | 对比 |
 | DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | 对比 |
| DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252 | 对比 |
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