AOD5B65M1备选型号: IKD06N60RFATMA1
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- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
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- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 无卤素
- 极性/通道类型
- IGBT类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 无铅
- IGBT 650V 5A TO25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63650V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Alpha IGBT™2011活跃1 (Unlimited)69WunknownStandard69W1.98V10A195 ns650V1.98V @ 15V, 5A14nC15A8.5ns/106ns80μJ (on), 70μJ (off)ROHS3 Compliant--------------
- IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-316 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63400V, 6A, 23 Ω, 15V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchStop®2008活跃1 (Unlimited)100Wnot_compliantStandard100W600V12A48 ns600V2.5V @ 15V, 6A48nC18A7ns/106ns90μJ (on), 90μJ (off)ROHS3 Compliante3noEAR99Tin (Sn)未说明未说明*KD06N60Single无卤素N-CHANNEL沟渠现场停车20V5.7V含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 12A 88W TO252-3 | 对比 |
![]() | STGD5H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S | 对比 |
![]() | IRGR4607DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 11A 58W DPAK | 对比 |






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