AOK20B60D1备选型号: FGH20N60SFDTU
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- 栅极-发射极电压-最大值
- RoHS状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
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- 端子表面处理
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- HTS代码
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube18 Weeks通孔通孔TO-247-33600V-55°C~175°C TJTubeAlpha IGBT™2011活跃1 (Unlimited)167WSingleStandard167WN-CHANNEL2.4V40A107 ns2.4V @ 15V, 20A24.6nC74A20ns/66ns760μJ (on), 180μJ (off)20VROHS3 Compliant--------------------------
- IGBT 600V 40A 165W TO2475 Weeks通孔通孔TO-247-33600V-55°C~150°C TJTube-2008活跃1 (Unlimited)165WSingleStandard165WN-CHANNEL600V40A34 ns2.8V @ 15V, 20A65nC60A13ns/90ns370μJ (on), 160μJ (off)20VROHS3 Compliant6.39gSILICON600Ve3yes3EAR99Tin (Sn)低导通损耗8541.29.00.95COLLECTOR13 ns电源控制16nsTO-247AB28 ns123 ns场站6.5V48ns20.6mm15.6mm4.7mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 170W TO247-3 | 对比 |
| FGH20N60UFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 165W TO247 | 对比 | |
![]() | STGW20H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop | 对比 |




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