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首页 全部分类 AON3414 vs ECH8695R-TL-W

AON3414备选型号: ECH8695R-TL-W

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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
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  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AON3414
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET NCH 30V 10.5A DFN
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    10.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    DUAL
    未说明
    未说明
    S-PDSO-F8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    17m Ω @ 9A, 10V
    2.4V @ 250μA
    690pF @ 15V
    25nC @ 10V
    30V
    ±20V
    10.5A
    0.017Ohm
    30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ECH8695R-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    19.7 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    9.1m Ω @ 5A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    -
    10nC @ 4.5V
    24V
    -
    11A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    8
    e6
    EAR99
    1.4W
    not_compliant
    2
    Dual
    300 ns
    320ns
    22.3 μs
    12.5V
    24V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    900μm
    2.9mm
    2.3mm
    无铅
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