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AON6932A备选型号: DMG5802LFX-7
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- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 宽度
- 长度
- 高度
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- 无铅
MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN822A 36A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010不用于新设计1 (Unlimited)4.3W3.6W 4.3W2 N-Channel (Half Bridge)5m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 250μA1037pF @ 15V22nC @ 10V30V36A20V逻辑电平门无ROHS3 Compliant-------------------------
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN16 Weeks表面贴装表面贴装6-VFDFN Exposed Pad632.18 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)980mW-2 N-Channel (Dual) Common Drain15m Ω @ 6.5A, 4.5V1.5V @ 250μA1066.4pF @ 15V31.3nC @ 10V24V6.5A12V逻辑电平门无ROHS3 CompliantSILICONe4yes6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITYFLAT260406增强型MOSFET980mW3.69 nsSWITCHING13.43ns22.45 ns0.015Ohm24VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR2.1mm5.1mm800μm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMG5802LFX-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-VFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN | 对比 |
 | DMP2039UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN | 对比 |
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