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首页 全部分类 AOTF11N60L vs FQPF12N60C

AOTF11N60L备选型号: FQPF12N60C

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOTF11N60L
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    11A Tc
    4.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    650m Ω @ 5.5A, 10V
    1990pF @ 25V
    37nC @ 10V
    600V
    ±30V
    11A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF12N60C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    51W Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    650m Ω @ 6A, 10V
    2290pF @ 25V
    63nC @ 10V
    -
    ±30V
    12A
    符合RoHS标准
    3
    2.27g
    SILICON
    QFET®
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    未说明
    12A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    51W
    ISOLATED
    SWITCHING
    85ns
    90 ns
    4V
    TO-220AB
    30V
    0.65Ohm
    600V
    48A
    870 mJ
    无SVHC
    无铅
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