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首页 全部分类 AOTF12N30 vs FQPF9N25C

AOTF12N30备选型号: FQPF9N25C

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  • 额定电流
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOTF12N30
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220F
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    11.5A Tc
    4.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    420m Ω @ 6A, 10V
    790pF @ 25V
    16nC @ 10V
    300V
    ±30V
    11.5A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF9N25C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    90 ns
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    430m Ω @ 4.4A, 10V
    710pF @ 25V
    35nC @ 10V
    -
    ±30V
    8.8A
    ROHS3 Compliant
    3
    2.27g
    SILICON
    QFET®
    e3
    yes
    3
    EAR99
    430MOhm
    Tin (Sn)
    250V
    8.8A
    Single
    增强型MOSFET
    38W
    ISOLATED
    15 ns
    SWITCHING
    85ns
    65 ns
    TO-220AB
    30V
    250V
    285 mJ
    4.7mm
    10.16mm
    9.19mm
    无
    无铅
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