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首页 全部分类 AOTF4S60 vs SPA04N60C3XKSA1

AOTF4S60备选型号: SPA04N60C3XKSA1

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  • 端子位置
  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 箱体转运
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    AOTF4S60
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    aMOS™
    2009
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    31W
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 2A, 10V
    4.1V @ 250μA
    263pF @ 100V
    6nC @ 10V
    600V
    ±30V
    4A
    TO-220AB
    4A
    0.9Ohm
    600V
    77 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA04N60C3XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
    16 Weeks
    -
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 2.8A, 10V
    3.9V @ 200μA
    490pF @ 25V
    25nC @ 10V
    650V
    ±20V
    -
    TO-220AB
    4.5A
    0.95Ohm
    600V
    130 mJ
    -
    符合RoHS标准
    NO
    e3
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    ISOLATED
    13.5A
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