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AOU4N60备选型号: FCU5N60TU
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- 晶体管元件材料
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 4A TO25116 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON4A Tc-50°C~150°C TJTube2010不用于新设计1 (Unlimited)3SINGLE3R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING2.3 Ω @ 2A, 10V4.5V @ 250μA640pF @ 25V14.5nC @ 10V600V±30V4A4A600V235 mJROHS3 Compliant-----------------------
MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK36 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON4.6A Tc-55°C~150°C TJTube-不用于新设计1 (Unlimited)3----增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 2.3A, 10V5V @ 250μA600pF @ 25V16nC @ 10V-±30V4.6A---ROHS3 CompliantACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)3343.08mgSuperFET™e3yesEAR99Tin (Sn)600V4.6ASingle54WISOLATED12 ns40ns22 ns5V30V0.95Ohm600V无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK | 对比 |
 | IPS70R2K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET NCH 700V 4A TO251 | 对比 |
 | IPU60R1K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3 | 对比 |
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