AOW11S60备选型号: FCI7N60
- 隐藏公共属性
- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 供应商器件包装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 最大rds
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 无铅
- Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3 Tab) TO-26216 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AATO-26211A Tc4.1V @ 250μA-55°C~150°C TJTube2010不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°C178WN-Channel399mOhm @ 3.8A, 10V545pF @ 100V11nC @ 10V600V±30V11A30V545pF399 mΩ无ROHS3 Compliant-----------------------------
- MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK12 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA-75 ns5V @ 250μA-55°C~150°C TJTube-ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)--83WN-Channel600m Ω @ 3.5A, 10V920pF @ 25V30nC @ 10V-±30V7A30V---ROHS3 Compliant32.084gSILICONSuperFET™e3yes3EAR99Tin (Sn)600V未说明7A未说明不合格Single增强型MOSFET35 nsSWITCHING55ns32 ns3V7A0.6Ohm600V4.83mm11.05mm10.29mmnot_compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPI60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262 | 对比 |



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