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AOW4S60备选型号: IRFZ46NLPBF
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- 安装类型
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3 Tab) TO-262 T/R16 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA1-55°C~150°C TJTubeaMOS™2010不用于新设计1 (Unlimited)Single增强型MOSFET83WN-Channel900m Ω @ 2A, 10V4.1V @ 250μA263pF @ 100V6nC @ 10V600V±30V4A4A无ROHS3 Compliant----------------------------
MOSFET N-CH 55V 53A TO-26212 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA53A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004活跃1 (Unlimited)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET120WN-Channel16.5m Ω @ 28A, 10V4V @ 250μA1696pF @ 25V72nC @ 10V-±20V53A-无ROHS3 Compliant3SILICONe33EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY55VSINGLE26053A30DRAIN14 nsSWITCHING76ns57 ns4V20V0.0165Ohm55V180A152 mJ9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL3806PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 43A TO-262 | 对比 |
 | FCI7N60 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK | 对比 |
| IRF540ZLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 36A TO-262 | 对比 |
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