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首页 全部分类 APT1003RBLLG vs STW25N80K5

APT1003RBLLG备选型号: STW25N80K5

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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    APT1003RBLLG
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1997
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    1kV
    SINGLE
    未说明
    4A
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    139W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 1mA
    694pF @ 25V
    34nC @ 10V
    4ns
    1000V
    ±30V
    10 ns
    4A
    30V
    4A
    3Ohm
    425 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW25N80K5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    19.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH5™
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    260m Ω @ 19.5A, 10V
    5V @ 100μA
    1600pF @ 100V
    40nC @ 10V
    -
    -
    ±30V
    -
    19.5A
    30V
    -
    -
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    3
    EAR99
    260MOhm
    STW25N
    Single
    800V
    78A
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
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