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首页 全部分类 APT100GN60B2G vs AUIRGPS4067D1

APT100GN60B2G备选型号: AUIRGPS4067D1

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • JESD-30代码
  • 上升时间-最大值
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT100GN60B2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 229A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    HIGH RELIABILITY
    600V
    625W
    229A
    3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    229A
    96 ns
    1.85V @ 15V, 100A
    435 ns
    沟渠现场停车
    600nC
    300A
    31ns/310ns
    4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRGPS4067D1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 240A 750W TO-274
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2011
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    750W
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.05V
    240A
    127 ns
    2.05V @ 15V, 120A
    281 ns
    Trench
    360nC
    360A
    69ns/198ns
    8.2mJ (on), 2.9mJ (off)
    6.5V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    2.05V
    EAR99
    R-PSIP-T3
    82ns
    750W
    69 ns
    360 ns
    TO-274AA
    20V
    48ns
    20.8mm
    16.1mm
    5.5mm
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