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APT150GN60LDQ4G备选型号: IXXK300N60B3
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- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
Trans IGBT Chip N-CH 600V 220A 3-Pin(3 Tab) TO-26425 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON600V-55°C~175°C TJTube1999e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜HIGH RELIABILITY536W3R-PSFM-T3SingleCOLLECTORStandard536W电源控制N-CHANNEL600V220A154 ns1.85V @ 15V, 150A575 ns沟渠现场停车970nC450A44ns/430ns8.81mJ (on), 4.295mJ (off)30V6.5V无符合RoHS标准无铅------
IGBT Transistors XPT 600V IGBT 300A28 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON600V-55°C~175°C TJTube2012--活跃1 (Unlimited)3-雪崩 额定2.3kW-R-PSFM-T3-COLLECTORStandard2300W电源控制N-CHANNEL1.6V550A137 ns1.6V @ 15V, 100A430 nsPT460nC1140A50ns/190ns3.45mJ (on), 2.86mJ (off)20V5.5V-ROHS3 Compliant-GenX3™, XPT™SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APT100GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 229A 625W TO264 | 对比 |
| APT75GN60LDQ3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
| APT65GP60L2DQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX | 对比 |
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