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首页 全部分类 APT18F60B vs STW15NM60N

APT18F60B备选型号: STW15NM60N

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • Microsemi Corporation
    APT18F60B
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    600V
    SINGLE
    18A
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    335W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    390m Ω @ 9A, 10V
    5V @ 1mA
    3550pF @ 25V
    90nC @ 10V
    23ns
    ±30V
    18 ns
    19A
    30V
    0.37Ohm
    65A
    495 mJ
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW15NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    增强型MOSFET
    125W
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    299m Ω @ 7A, 10V
    4V @ 250μA
    1250pF @ 50V
    37nC @ 10V
    14ns
    ±25V
    30 ns
    14A
    25V
    0.299Ohm
    56A
    300 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    MDmesh™ II
    未说明
    not_compliant
    未说明
    STW15N
    不合格
    Single
    600V
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