APT20M45BVRG备选型号: IRFP260NPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 200V 56A TO-247IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)31 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON56A Tc-55°C~150°C TJTubePOWER MOS V®1997yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Pure Matte Tin (Sn)200VSINGLE56A3R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET300WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING45m Ω @ 500mA, 10V4V @ 1mA4860pF @ 25V195nC @ 10V14ns±30V7 ns56A30V0.045Ohm224A无符合RoHS标准无铅-------------------
- Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 50A; TO-247AC; Pd 300W; Vgs /-20V-12 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON50A Tc-55°C~175°C TJBulkHEXFET®2004-活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier200V-50A---增强型MOSFET300WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 28A, 10V4V @ 250μA4057pF @ 25V234nC @ 10V60ns±20V48 ns50A20V-200A无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free3e3通孔40mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE25030Single4VTO-247AC200V200V560 mJ402 ns4 V20.2946mm15.875mm5.3mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFP4332PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC | 对比 |
![]() | IRFP4227PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC | 对比 |




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