APT30D100BG备选型号: ISL9R3060G2
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 二极管元件材料
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 应用
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 速度
- 二极管类型
- 反向泄漏电流@ Vr
- 输出电流
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 箱体转运
- 正向电流
- 工作温度 - 结点
- 最大浪涌电流
- 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
- 正向电压
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 相位的数量
- 反向恢复时间
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 恢复时间
- 反向电压(直流电)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电容量
- 功率耗散
- 反向电压
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- 达到SVHC
- DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)25 Weeks通孔通孔TO-247-26.500007gSILICON1Tube1997e1yes活跃1 (Unlimited)2Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)175°C-55°C超快软恢复8541.10.00.801kV30AAPT30D1003R-PSFM-T2SingleFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Standard250μA @ 1000V30A2.3V @ 30ACATHODE30A-55°C~175°C210A1000V2.3V1kV30A1290 ns250μA1kV210A290 ns1kV5.31mm21.46mm16.26mm无符合RoHS标准无铅----------
- DIODE GEN PURP 600V 30A TO247ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-247-26.33gSILICON1Tube2004e3yes活跃1 (Unlimited)2-175°C-55°C快速软恢复8541.10.00.80600V30A---SingleFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Standard100μA @ 600V30A2.4V @ 30ACATHODE30A-55°C~175°C325A-2.4V600V30A145 ns100μA600V325A45 ns-20.82mm15.87mm4.82mm无ROHS3 Compliant无铅Tin2Stealth™EAR99FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE120pF200W600V325A无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RHRG3060 | ON Semiconductor | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-247-2 | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 | 对比 | |
![]() | STTH60W03CW | STMicroelectronics | 二极管 - 整流器 - 阵列 | TO-247-3 | Rectifiers Turbo 2 Ultrafast 2 x 30A 300V 25ns | 对比 |
![]() | APT30D120BG | Microsemi Corporation | 二极管 - 整流器 - 单 | TO-247-2 | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | 对比 |




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