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DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
25 Weeks
Tin
通孔
通孔
TO-247-2
6.500007g
SILICON
1
Tube
1997
e1
yes
活跃
1 (Unlimited)
2
175°C
-55°C
超快软恢复
8541.10.00.80
600V
30A
3
R-PSFM-T2
Single
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Standard
250μA @ 600V
30A
1.8V @ 30A
CATHODE
30A
-55°C~175°C
320A
1.6V
600V
30A
1
85 ns
250μA
600V
320A
23 ns
600V
5.31mm
21.46mm
16.26mm
无
符合RoHS标准
无铅
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DIODE GEN PURP 600V 60A TO247
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
25 Weeks
Tin
通孔
通孔
TO-247-2
6.500007g
SILICON
1
Tube
-
e1
yes
活跃
1 (Unlimited)
2
175°C
-55°C
超快软恢复
8541.10.00.80
600V
60A
3
R-PSFM-T2
Single
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Standard
250μA @ 600V
60A
1.8V @ 60A
CATHODE
60A
-55°C~175°C
600A
1.6V
600V
60A
1
130 ns
250μA
600V
600A
40 ns
600V
5.31mm
21.46mm
16.26mm
无
符合RoHS标准
无铅
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