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首页 全部分类 APT30N60KC6 vs STP33N60M2

APT30N60KC6备选型号: STP33N60M2

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • Vgs（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • Microsemi Corporation
    APT30N60KC6
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    30A Tc
    3.5V @ 960μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2010
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    TIN
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    219W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 14.5A, 10V
    2267pF @ 25V
    88nC @ 10V
    17ns
    600V
    48 ns
    30A
    TO-220AB
    20V
    89A
    600V
    636 mJ
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP33N60M2
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    26A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    190W
    -
    16 ns
    N-Channel
    -
    125m Ω @ 13A, 10V
    1781pF @ 100V
    45.5nC @ 10V
    9.6ns
    -
    9 ns
    26A
    -
    25V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    Tin
    329.988449mg
    STP33N
    1
    Single
    ±25V
    600V
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