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首页 全部分类 APT40GP60BG vs IRGP4660DPBF

APT40GP60BG备选型号: IRGP4660DPBF

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 上升时间-最大值
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT40GP60BG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    低导通损耗
    600V
    543W
    100A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    100A
    TO-247AD
    49 ns
    2.7V @ 15V, 40A
    158 ns
    PT
    135nC
    160A
    20ns/64ns
    385μJ (on), 352μJ (off)
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP4660DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 100A 330W TO247AC
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2007
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    330W
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.9V
    100A
    -
    -
    1.9V @ 15V, 48A
    -
    -
    140nC
    144A
    60ns/145ns
    625μJ (on), 1.28mJ (off)
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    1.6V
    56ns
    134W
    330W
    115 ns
    20V
    6.5V
    46ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
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