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首页 全部分类 APT40GT60BRG vs STGW30NC60VD

APT40GT60BRG备选型号: STGW30NC60VD

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  • IGBT类型
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 反向恢复时间
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT40GT60BRG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Thunderbolt IGBT®
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    600V
    345W
    80A
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    63 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    80A
    353 ns
    NPT
    200nC
    160A
    12ns/124ns
    828μJ (off)
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC60VD
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    250W
    -
    3
    -
    Single
    -
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    42.5 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    -
    280 ns
    -
    100nC
    150A
    31ns/100ns
    220μJ (on), 330μJ (off)
    21.07mm
    16.02mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    STGW30
    250W
    11ns
    44ns
    20V
    5.75V
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