APT47N60BC3G备选型号: FCH072N60F

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 系列
  • HTS代码
  • 元素配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Microsemi Corporation
    600 V 0.07 Ohm 260 nC Super Junction Power MOSFET-TO-247-3
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    47A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    70mOhm
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    600V
    SINGLE
    47A
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    417W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 30A, 10V
    3.9V @ 2.7mA
    7015pF @ 25V
    260nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    8 ns
    47A
    TO-247AD
    20V
    600V
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 52A TO247
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    SILICON
    52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    481W
    -
    43 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    72m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    8660pF @ 100V
    215nC @ 10V
    38ns
    ±20V
    25 ns
    52A
    TO-247AB
    20V
    600V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    FRFET®, SuperFET® II
    8541.29.00.95
    Single
    0.072Ohm
    156A
    1128 mJ
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