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首页 全部分类 APT50GS60BRG vs STGW30NC60VD

APT50GS60BRG备选型号: STGW30NC60VD

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  • 引脚数量
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  • 晶体管应用
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  • 极性/通道类型
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APT50GS60BRG
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 93A 415W TO247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    600V
    2.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Thunderbolt IGBT®
    1999
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    415W
    Single
    Standard
    600V
    93A
    3.15V @ 15V, 50A
    93A
    NPT
    235nC
    195A
    16ns/225ns
    755μJ (off)
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC60VD
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    250W
    Single
    Standard
    600V
    80A
    2.5V @ 15V, 20A
    -
    -
    100nC
    150A
    31ns/100ns
    220μJ (on), 330μJ (off)
    21.07mm
    16.02mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3
    SILICON
    3
    EAR99
    STGW30
    3
    250W
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    44ns
    42.5 ns
    280 ns
    20V
    5.75V
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