APT56M60B2备选型号: FCH041N65F-F155
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 电阻
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 600V 56A T-MAXIN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)19 Weeks通孔通孔TO-247-3 VariantSILICON60A Tc-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 8™1997e3yes活跃1 (Unlimited)3纯哑光锡FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED600VSINGLE56A3R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.04kW65 nsN-ChannelSWITCHING130m Ω @ 28A, 10V5V @ 2.5mA11300pF @ 25V280nC @ 10V75ns±30V60 ns60A30V5.31mm21.46mm16.26mm无符合RoHS标准无铅------------
- MOSFET N-CH 650V 76A TO247ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)12 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON76A Tc-55°C~150°C TJTubeFRFET®, SuperFET® II-e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)-----R-PSFM-T3-增强型MOSFET-60 nsN-ChannelSWITCHING41m Ω @ 38A, 10V5V @ 7.6mA13020pF @ 100V294nC @ 10V47ns±20V6.5 ns76A30V----ROHS3 Compliant-6.39g44mOhm未说明not_compliant未说明1Single650VTO-247AB228A650V2025 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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