APT7F120B备选型号: STWA20N95K5

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    2.4Ohm
    锡银铜
    雪崩 额定
    1.2kV
    SINGLE
    6.6A
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    335W
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.9 Ω @ 3A, 10V
    5V @ 1mA
    2565pF @ 25V
    80nC @ 10V
    8ns
    1200V
    ±30V
    13 ns
    7A
    TO-247AB
    30V
    7A
    28A
    575 mJ
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    -
    17.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    17 ns
    N-Channel
    -
    330m Ω @ 9A, 10V
    5V @ 100μA
    1500pF @ 100V
    40nC @ 10V
    12ns
    950V
    ±30V
    20 ns
    17.5A
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SuperMESH5™
    EAR99
    未说明
    未说明
    STWA20
    1
    Single
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