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首页 全部分类 APT7F80K vs FQPF8N60C

APT7F80K备选型号: FQPF8N60C

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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APT7F80K
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 8™
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    纯哑光锡
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    800V
    SINGLE
    7.1A
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    225W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 4A, 10V
    5V @ 500μA
    1335pF @ 25V
    43nC @ 10V
    11ns
    ±30V
    10 ns
    7A
    TO-220AB
    30V
    7A
    25A
    285 mJ
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF8N60C
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    7.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    快速切换
    600V
    -
    7.5A
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    48W
    ISOLATED
    16.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 3.75A, 10V
    4V @ 250μA
    1255pF @ 25V
    36nC @ 10V
    60.5ns
    ±30V
    64.5 ns
    7.5A
    TO-220AB
    30V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    3
    2.27g
    通孔
    EAR99
    Single
    4V
    600V
    600V
    4 V
    9.19mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
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