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首页 全部分类 APT8014L2FLLG vs IPW60R070P6XKSA1

APT8014L2FLLG备选型号: IPW60R070P6XKSA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Microsemi Corporation
    APT8014L2FLLG
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 800V 52A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    264 MAX™ [L2]
    52A Tc
    Tube
    POWER MOS 7®
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    800V
    52A
    20 ns
    N-Channel
    160mOhm @ 26A, 10V
    5V @ 5mA
    7238pF @ 25V
    285nC @ 10V
    19ns
    800V
    15 ns
    52A
    30V
    7.24nF
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R070P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    53.5A Tc
    Tube
    CoolMOS™ P6
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    23 ns
    N-Channel
    70m Ω @ 20.6A, 10V
    4.5V @ 1.72mA
    4750pF @ 100V
    100nC @ 10V
    15ns
    -
    4 ns
    53.5A
    30V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    2008
    e3
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    无卤素
    ±20V
    600V
    0.07Ohm
    156A
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