APT8020B2LLG备选型号: FCH104N60
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- JEDEC-95代码
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 800V 38A T-MAXIN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)31 Weeks通孔通孔TO-247-3 Variant310.6gSILICON38A Tc-55°C~150°C TJTubePOWER MOS 7®1997e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99锡银铜800VSINGLE38A3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET694WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING200m Ω @ 19A, 10V5V @ 2.5mA5200pF @ 25V195nC @ 10V14ns±30V9 ns38A30V0.2Ohm800V5.21mm26.49mm20.5mm无符合RoHS标准无铅---------
- MOSFET SuperFET2 600V Fast verACTIVE (Last Updated: 6 days ago)12 Weeks通孔通孔TO-247-336.39gSILICON37A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET® II2014e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-----增强型MOSFET--26 nsN-ChannelSWITCHING104m Ω @ 18.5A, 10V3.5V @ 250μA4165pF @ 380V82nC @ 10V18ns±20V3.3 ns37A30V--20.82mm15.87mm4.82mm-ROHS3 Compliant-未说明not_compliant未说明1Single600VTO-247AB600V809 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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