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首页 全部分类 APT85GR120JD60 vs APT75GT120JU3

APT85GR120JD60备选型号: APT75GT120JU3

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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APT85GR120JD60
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
    30 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    543W
    Single
    543W
    Standard
    1.2kV
    116A
    1.1mA
    1200V
    8.4nF
    3.2V @ 15V, 85A
    NPT
    无
    8.4nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT75GT120JU3
    Microsemi Corporation
    POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    416W
    Single
    416W
    Standard
    1.2kV
    100A
    5mA
    1200V
    5.34nF
    2.1V @ 15V, 75A
    沟渠现场停车
    无
    5.34nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    30.000004g
    SILICON
    1.7V
    yes
    4
    AVALANCHE RATED, LOW CONDUCTION LOSS
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    335 ns
    610 ns
    20V
    2.1 V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
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