APT94N65B2C3G备选型号: STY100NM60N

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
    OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago)
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    94A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    415W
    DRAIN
    32 ns
    N-Channel
    35m Ω @ 47A, 10V
    3.9V @ 5.8mA
    13940pF @ 25V
    580nC @ 10V
    59ns
    650V
    ±20V
    167 ns
    94A
    20V
    282A
    650V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 600 V, 0.025 Ohm typ., 98 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    -
    98A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    625W
    -
    45 ns
    N-Channel
    29m Ω @ 49A, 10V
    4V @ 250μA
    9600pF @ 50V
    330nC @ 10V
    52ns
    -
    -
    81 ns
    98A
    25V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    STY100
    Single
    600V
    20.3mm
    15.9mm
    5.3mm
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