APTCV60HM45RT3G备选型号: APTGT30H60T1G

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  • 最大集极截止电流
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  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
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  • 关断时间-标准值(toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    3
    600V
    -40°C~175°C TJ
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    250W
    全桥逆变器
    250W
    单相桥式整流器
    1.9V
    50A
    250μA
    3.15nF
    1.9V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    3.15nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 12-Pin Case SP-1
    -
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    90W
    全桥逆变器
    90W
    Standard
    600V
    50A
    250μA
    1.6nF
    1.9V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    1.6nF @ 25V
    符合RoHS标准
    SILICON
    e1
    yes
    12
    锡银铜
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    12
    ISOLATED
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    170 ns
    310 ns
    20V
    1.9 V
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