APTCV60HM45RT3G备选型号: APTGT30H60T1G
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- 配置
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- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 最大集极截止电流
- 输入电容
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- VCEsat-最大值
- 辐射硬化
- POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)36 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP33600V-40°C~175°C TJ1999活跃1 (Unlimited)EAR99250W全桥逆变器250W单相桥式整流器1.9V50A250μA3.15nF1.9V @ 15V, 50A沟渠现场停车有3.15nF @ 25V符合RoHS标准----------------
- Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 12-Pin Case SP-1-36 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP112600V-40°C~175°C TJ2012活跃1 (Unlimited)EAR9990W全桥逆变器90WStandard600V50A250μA1.6nF1.9V @ 15V, 30A沟渠现场停车有1.6nF @ 25V符合RoHS标准SILICONe1yes12锡银铜UPPERTHROUGH-HOLE12ISOLATEDMOTOR CONTROLN-CHANNEL170 ns310 ns20V1.9 V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FP7G50US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | EPM7 | IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7 | 对比 | |
| FMG2G50US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-GA | IGBT MODULE 600V 50A 250W 7PMGA | 对比 |




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