APTGF200U120DG备选型号: APTGT150DU120G
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- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 栅极-发射极电压-最大值
- 输入电容(Cies)@Vce
- VCEsat-最大值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 附加功能
- 元素配置
- IGBT MODULE 1200V 275A 1136W SP6Chassis Mount, Screw底座安装SP651.2kV1999e1yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99锡银铜150°C-40°C1.136kWUPPERUNSPECIFIED5SingleISOLATED1136W通用开关N-CHANNELStandard1.2kV275A500μA1200V13.8nF100 ns3.7V @ 15V, 200A400 nsNPT无20V13.8nF @ 25V3.7 V符合RoHS标准---
- POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6Chassis Mount, Screw底座安装SP671.2kV2006e1yes活跃1 (Unlimited)7EAR99锡银铜150°C-40°C690WUPPERUNSPECIFIED7Dual, Common SourceISOLATED-电源控制N-CHANNELStandard1.2kV220A350μA1200V10.7nF335 ns2.1V @ 15V, 150A610 ns沟渠现场停车无-10.7nF @ 25V-符合RoHS标准36 Weeks雪崩 额定Dual
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGT200A120G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP6 | POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 | 对比 |
![]() | FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module | 对比 |
![]() | APTGT150DU120TG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP4 | IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP4 | 对比 |






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