APTGT100TA120TPG备选型号: FP75R12KE3BOSA1

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  • 型号:
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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • JESD-30代码
  • 极性
  • 功率耗散
  • 正向电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 140A 23-Pin Case SP-6P
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    Module
    23
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    23
    EAR99
    480W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    23
    三相
    ISOLATED
    480W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    140A
    250μA
    1200V
    7.2nF
    340 ns
    2.1V @ 15V, 100A
    610 ns
    沟渠现场停车
    20V
    7.2nF @ 25V
    2.1 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 105A 355W
    12 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    24
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~125°C TJ
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    35
    EAR99
    350W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    35
    Single
    ISOLATED
    355W
    -
    -
    Standard
    1.2kV
    105A
    5mA
    1200V
    -
    330 ns
    2.2V @ 15V, 75A
    610 ns
    NPT
    -
    5.3nF @ 25V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    2.15V
    no
    R-XUFM-X35
    NPN
    350W
    75A
    17mm
    122mm
    62mm
    无SVHC
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APTGT75TDU120PG APTGT75TDU120PG Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP6 IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP6P 对比