APTGT100TA120TPG备选型号: FP75R12KE3BOSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 栅极-发射极电压-最大值
- 输入电容(Cies)@Vce
- VCEsat-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 无铅代码
- JESD-30代码
- 极性
- 功率耗散
- 正向电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 140A 23-Pin Case SP-6P36 WeeksChassis Mount, Screw底座安装Module23SILICON1.2kV-40°C~175°C TJ2012活跃1 (Unlimited)23EAR99480WUPPERUNSPECIFIED23三相ISOLATED480W电源控制N-CHANNELStandard1.2kV140A250μA1200V7.2nF340 ns2.1V @ 15V, 100A610 ns沟渠现场停车有20V7.2nF @ 25V2.1 V无符合RoHS标准-----------
- IGBT MOD 1200V 105A 355W12 WeeksScrew底座安装Module24SILICON1.2kV-40°C~125°C TJ2002活跃1 (Unlimited)35EAR99350WUPPERUNSPECIFIED35SingleISOLATED355W--Standard1.2kV105A5mA1200V-330 ns2.2V @ 15V, 75A610 nsNPT无-5.3nF @ 25V--ROHS3 CompliantTin2.15VnoR-XUFM-X35NPN350W75A17mm122mm62mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGT75TDU120PG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP6 | IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP6P | 对比 |




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